日前，来自美国麻省理工学院、休斯顿大学和其它机构的科研团队，发现了迄今为止最佳半导体材料。该材料名为立方砷化硼，它既能为电子和空穴提供高迁移率，又有优良的电导率，而且还具有极高的导热特性。相关成果已发表在近期《科学》杂志上，作者栏中包括多位华人，包括麻省理工学院机械工程教授陈刚、中科院任志峰（休斯敦大学）等。   值得注意的是，立方砷化硼还只能在实验室小规模量产和测试且不均匀。科学家还需要做更多的工作，来确定立方砷化硼是否能以实用、经济的形式制造出来。不过，研究人员表示，在不久的将来，这种材料可能找到一些用途，使其特性产生重大影响。   据介绍，立方砷化硼对电子和空穴也有很高的迁移率，该材料有一个非常好的带隙，这一特性赋予了它作为半导体材料的巨大潜力。众所周知，已经成熟商用的硅材料具有良好的电子迁移率，但其空穴迁移率较差，而其他材料如砷化镓，同样具有良好的电子迁移率，但对空穴不具有良好的迁移率。   研究负责人表示，许多电子产品的主要瓶颈在于热量，尽管碳化硅的电迁移率较低，但其热导...

近日，复旦大学官网新闻显示，复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管...   传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。   例如7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。极紫外光刻设备复杂，在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。然而，全硅基CFET的工艺复杂度高，且性能在复杂工艺环境下退化严重。   因此，研发与我国主流技术高度兼容的CFET器件与集成，对于自主发展新型集成电路技术具有重要意义。   针对这一关键技术，复旦大学微电子学院周鹏教授、包文中研究员及信息科学与工程学院万景研究员创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相同的工艺节点下实现了器件集成密度翻倍，并获得了卓越的电学性能。   据...

3 月 1 日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布，推出基于云的全新突破性在线物联网系统设计平台Quick-Connect Studio，帮助用户能够以图形方式构建硬件和软件，从而快速验证原型并加速产品开发。   当前的软件开发流程十分繁琐——工程师需要研究并定义项目、收集设备信息及要求、布局硬件、开发软件，并测试和迭代，直到产品准备完成发布到市场。这一过程通常按顺序进行，每个步骤都需要付出大量时间。对于新产品的开发而言，软件部分的开发是消耗最多的阶段，其开发过程是否顺利，成为决定整个系统成败的关键因素。   借助瑞萨首创的Quick-Connect Studio，工程师现在可以同时启动硬件和软件开发。这一模式是行业内一个根本性转变，使设计人员能够即刻构建软件，并快速重新配置和测试产品创意。由于工程师可以在投入硬件布局前验证设计，从而显著节省时间，降低风险。   Quick-Connect Studio使工程师能够以图形方式在云端拖放设备和子系统块来搭建他们的解决方案。在放置每个模块后，用户可以自动生成、编译和构建软件，这是...

当前，全世界主要半导体研发机构和企业都在SOT-MRAM刻蚀工艺上开展了大量工作，然而，SOT-MRAM的刻蚀工艺依然是业界面临的一项重要技术挑战。   近日，中科院微电子所在SOT-MRAM的关键集成技术领域取得新进展。   据“中科院微电子研究所”消息，为了更好地解决SOT-MRAM的刻蚀技术难题以实现SOT-MTJ的高密度片上集成，同时研究不同的刻蚀工艺对器件磁电特性的影响，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组开发了一种基于垂直磁各向异性SOT-MTJ的刻蚀“停MgO”工艺（SOMP-MTJ），该工艺有效地解决了SOT-MRAM制造中的刻蚀短路问题。   消息称，课题组开发了刻蚀“停MgO”工艺，该工艺使MTJ刻蚀终点精确地停止在~1 nm厚的MgO层上（图 1c,d）。由于隧穿层MgO的侧壁从未暴露，从而避免了MgO层的短路。利用“停MgO”刻蚀工艺制备的SOT-MTJ器件阵列，晶圆的电阻良率可提升至100%，同时还提高了器件的TMR、电...

据外媒报导，铠侠和西部数据计划2023年VLSI技术和电路研讨会上，展示3D NAND技术创新。 两家公司的工程师正在寻求实现8-Plane的3D NAND，以及超过300层的3D NAND。来自铠侠的论文(C2-1)，介绍了一种8-Plane的1Tb 3D TLC NAND，拥有210层的堆叠数和3.2GT/s的I/O传速，与铠侠/西部数据推出的218层1Tb 3D TLC NAND非常相似，具备17Gb/mm²密度和3.2GT/s I/O总线，但它是8-Plane而不是4-Plane，并且据说可提供205MB/s的Program Throughput以及40μs的读取延迟，这明显优于铠侠128层3D NAND的56μs延迟。   除了研究8-Plane的3DNAND结构外，研究人员还将提交关于300层3DNAND的论文(T7-1)，Highly Scalable Metal Induced Lateral Crystal lization(MILC) Techniques for Vertical silicon Channel in Ultra-High(300Layers)3D Flash Memory。文中表示，为实现这一目标，两家公司计划采用金属诱导横向结晶(MILC)技术。通过MILC技术，在超过300层的垂直存储...